Samsung anunció el martes que ha desarrollado una memoria DRAM de doble velocidad de datos 5 (DDR5) fabricada con un nodo de proceso de 12 nanómetros (nm).
Según el gigante tecnológico surcoreano, la DRAM DDR5 de 12 nm y 16 Gb se ha verificado con el fabricante de CPU AMD, y se prevé que la producción en masa comience el año que viene.
Lo inusual del anuncio de Samsung es que ha dado un valor numérico específico del nodo de proceso que ha utilizado __ en este caso «12».
Los fabricantes de chips de memoria, entre los que se incluyen SK Hynix y Micron, habían utilizado mayoritariamente el término «clase 10nm» o su propia jerga para referirse a sus nodos de proceso de entre 10 y 19nm sin especificar realmente el valor numérico del segundo dígito.
La última DRAM de Samsung, por utilizar su propio término empleado anteriormente, está fabricada con su nodo de proceso de clase 10nm de quinta generación. Es probable que el gigante tecnológico utilice esta vez la clase de 12 nm para pregonar lo avanzada que es con respecto a la clase de 10 nm de sus rivales.
Sin embargo, el tamaño real de los transistores y la densidad entre los chips fabricados por diferentes empresas, independientemente de sus nombres de nodos de proceso utilizados para la comercialización, es difícil de saber sin pruebas y puede diferir mucho entre sí.
No obstante, el cambio de terminología de Samsung, el mayor fabricante de chips de memoria del mundo, puede indicar que planea promocionar agresivamente cómo sus productos premium son superiores a los de la competencia el año que viene, ya que la inflación mundial ha provocado una caída en el mercado de la memoria, un espacio ya de por sí competitivo.
En su DRAM DDR5 de 16 Gb y 12 nm de clase, Samsung dijo que aplicó un nuevo material de alto k para aumentar el volumen del condensador y aplicó nuevos diseños para completar el nuevo nodo de proceso. El gigante tecnológico afirma que también ha aplicado la litografía ultravioleta extrema (EUV) para lograr la densidad «más alta del sector».
La productividad ha aumentado un 20% respecto a la generación anterior de DRAM, lo que significa que se pueden fabricar más unidades por oblea.
El chip alcanza una velocidad máxima de 7,2 Gbps, lo que significa que puede procesar 60 GB de datos por segundo. El consumo de energía se ha mejorado en un 23% en comparación con su predecesor.
Samsung planea lanzar más productos en su gama de DRAM de clase 12nm para aplicaciones en centros de datos, IA y computación de alto rendimiento.
